德可半导体公司今日宣布，D7112D已在2010年5月初投入量产。D7112D是在D7118D基础上研制成功的射频前端模块Tx Module，内置射频功放和天线开关。该芯片使用pHEMT、HBT、CMOS工艺，内置隔直电容，产品体积小，降低了客户PCB面积和成本；内部集成ESD电感，天线端耐受能力ESD可达8KV。该适合GSM900/DCS的GSM/GPRS手机应用。